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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3sk263-5-tg-e

  • 功能描述

    射频JFET晶体管 NCH DUAL GATE MOS FET

  • RoHS

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    N-Channel 正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    漏源电压

  • VDS

    40 V

  • 闸/源截止电压

    5 V

  • 闸/源击穿电压

    40 V

  • 最大漏极/栅极电压

    40 V 漏极电流(Vgs=0 时的

  • Idss)

    25 mA to 75 mA

  • 功率耗散

    250 mW

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23

  • 封装

    Reel

规格书PDF

  • 芯片型号:

    3SK263-5-TG-E

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    下载资料

  • 原厂全称:

    Sanyo

  • 原厂简称:

    SANYO

  • 页数:

    6

  • 文件大小:

    492 kb

  • 说明:

    FM Tuner, VHF Tuner, High-Frequency Amplifi er Applications